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dc.rights.licenseAtribución-NoComercial 4.0 Internacional
dc.contributor.authorRodríguez, Eduardo Martín
dc.contributor.authorGonzález R., Estrella
dc.date.accessioned2019-06-27T22:57:59Z
dc.date.available2019-06-27T22:57:59Z
dc.date.issued2011
dc.identifier.urihttps://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/33480
dc.description.abstractThis work analyses the features of GaAs/AlGaAs heterostructure, highlighting semiconductor junction properties. Charge confinement was produced when two materials having different band-gap were fixed; such high electron concentration is called two-dimensional electron gas (2DEG). Device simulation for smart integrated systems (DESSIS) is simulation software which uses physical models and robust numerical methods for simulating semiconductor devices and 3-5 element heterostructures. Results for different heterostructure doping profiles and voltages are presented in this work.  High electron mobility transistors (HEMTs) are one of the most important applications for heterostructures; they work on 30 to 300 GHz frequency ranges. These transistors are simulated in this work; a 1 A/mm2 high current density was obtained in the channel, such value being comparable to other values reported for similar transistors.
dc.description.abstractEn este trabajo se analizan las características de la heteroestructura de GaAs/AlGaAs haciendo énfasis en las propiedades de la unión de ambos semiconductores. Cuando se unen dos materiales, con diferentes anchos en las bandas prohibidas, ocurre un confinamiento de portadores que se les puede describir como un gas de electrones bidimensional. DESSIS (Device Simulation for Smart Integrated Systems) es un programa de simulación que mediante modelos físicos y métodos numéricos robustos permite la simulación de dispositivos semiconductores y de heteroestructuras compuestas por elementos de los grupos III-V de la tabla periódica. Los resultados para diferentes dopajes y voltajes aplicados en la heteroestructura son presentados en este trabajo.Los transistores de alta movilidad (HEMT, High Electron Mobility Transistor) son una de las aplicaciones más importantes de las propiedades de las heteroestructuras, con frecuencias de trabajo en el rango de 30 a 300 GHz. La simulación de un ejemplo de estos transistores es presentada en este trabajo, lográndose una densidad de corriente máxima en el canal de 1 A/mm2 comparable con resultados reportados para transistores similares.
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isospa
dc.publisherUniversidad Nacional de Colombia - Facultad de Ingeniería
dc.relationhttp://revistas.unal.edu.co/index.php/ingeinv/article/view/20535
dc.relation.ispartofUniversidad Nacional de Colombia Revistas electrónicas UN Ingeniería e Investigación
dc.relation.ispartofIngeniería e Investigación
dc.relation.ispartofseriesIngeniería e Investigación; Vol. 31, núm. 1 (2011); 144-153 Ingeniería e Investigación; Vol. 31, núm. 1 (2011); 144-153 2248-8723 0120-5609
dc.rightsDerechos reservados - Universidad Nacional de Colombia
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/
dc.titleGaas/algaas nanoheterostructures: simulation and application on high mobility transistors
dc.typeArtículo de revista
dc.type.driverinfo:eu-repo/semantics/article
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.identifier.eprintshttp://bdigital.unal.edu.co/23560/
dc.identifier.eprintshttp://bdigital.unal.edu.co/23560/2/
dc.identifier.eprintshttp://bdigital.unal.edu.co/23560/3/
dc.relation.referencesRodríguez, Eduardo Martín and González R., Estrella (2011) Gaas/algaas nanoheterostructures: simulation and application on high mobility transistors. Ingeniería e Investigación; Vol. 31, núm. 1 (2011); 144-153 Ingeniería e Investigación; Vol. 31, núm. 1 (2011); 144-153 2248-8723 0120-5609 .
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject.proposalHEMT
dc.subject.proposalheteroestructuras
dc.subject.proposalDESSIS
dc.subject.proposalsimulación.
dc.subject.proposalHEMT
dc.subject.proposalheterostructure
dc.subject.proposalDESSIS
dc.subject.proposalsimulation.
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501
dc.type.coarversionhttp://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
dc.type.contentText
dc.type.redcolhttp://purl.org/redcol/resource_type/ART
oaire.accessrightshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2


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