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dc.rights.licenseAtribución-NoComercial 4.0 Internacional
dc.contributorArdila Vargas, Angel Miguel
dc.contributor.authorMéndez Merchán, Germán Anibal
dc.date.accessioned2019-07-02T14:39:25Z
dc.date.available2019-07-02T14:39:25Z
dc.date.issued2016-11-15
dc.identifier.urihttps://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/58697
dc.description.abstractEl trabajo expone la técnica de deposición en alto vacío del 1,3,5-tris(Nfenilben cimidizol-2-il) benceno (TPBi) [1], como capa transportadora de electrones. El TPBi se depositó sobre sustratos de vidrio y Silicio, para analizar sobre éstos la morfología de las superficies cuando se varió su tasa de crecimiento, teniendo constantes como: a) espesor de la película y b) temperatura del sustrato. Otro análisis presentado en este trabajo, es la morfología de superficies cuando se varió el espesor de la película, teniendo constantes: a) tasa de crecimiento y b) temperatura del sustrato. Los datos obtenidos 1 en el presente trabajo, se realizaron con el sistema de vacío del laboratorio nanoestructuras orgánicas y moleculares, en el que se genera un alto vacío hasta 2,0 × 10−6 mbar. El sistema en mención se encuentra automatizado con un software en LabView en el que se programaron las condiciones iniciales para realizar el depósito del TPBi sobre sustratos de vidrio y Silicio. El estudió de las propiedades morfológicas se realizó con microscopía de barrido (SEM por sus siglas en inglés) y perfilometría. Las propiedades ópticas por transmitacia y electroluminiscencia y la característica eléctrica por la dependencia I-V En el capítulo uno se expone: a) el sustento teórico de los semiconductores orgáqnicos, haciendo énfasis en la teoría de la conjugación, b) reseña histórica de los semiconductores orgánicos, c) características de dispositivos orgánicos de pequeña molécula, d) características de la capa transportadora de electrones y e) características del TPBi En el capítulo dos expone los resultados obtenidos del TPBi, al ser depositados con la técnica de evaporación térmica de alto vacío. En los resultados que se obtuvieron en los sustratos de vidrio y Silicio con el TPBi, se mostró la morfología de acuerdo a una tasa de crecimiento y espesor variable gracias a las sistematización de la cámara de alto vacío. En el capítulo tres se realizó las conclusiones de los resultados obtenidos del capitulo dos y se dejan observaciones y recomendaciones para futuros trabajos haciendo uso del TPBi como material óptimo para la capa de transporte de electrones, en un dispositivo orgánico de pequeña molécula.
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isospa
dc.relation.ispartofUniversidad Nacional de Colombia Sede Bogotá Facultad de Ciencias Departamento de Física
dc.relation.ispartofDepartamento de Física
dc.rightsDerechos reservados - Universidad Nacional de Colombia
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/
dc.subject.ddc53 Física / Physics
dc.subject.ddc6 Tecnología (ciencias aplicadas) / Technology
dc.titleCaracteristicas del TPBi como capa transportadora de electrones
dc.typeTrabajo de grado - Maestría
dc.type.driverinfo:eu-repo/semantics/masterThesis
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/acceptedVersion
dc.identifier.eprintshttp://bdigital.unal.edu.co/55551/
dc.description.degreelevelMaestría
dc.relation.referencesMéndez Merchán, Germán Anibal (2016) Caracteristicas del TPBi como capa transportadora de electrones. Maestría thesis, Universidad Nacional de Colombia Sede Bogotá.
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject.proposalTPBi y teoría de la conjugación
dc.subject.proposalTecnología OLED
dc.subject.proposalCapa transportadora de electrones
dc.subject.proposalDispositivo orgánico de pequeña molécula
dc.subject.proposalSEM
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/c_bdcc
dc.type.coarversionhttp://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
dc.type.contentText
dc.type.redcolhttp://purl.org/redcol/resource_type/TM
oaire.accessrightshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2


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