Efectos estructurales en el semiconductor insb, por la aplicación de diferentes métodos de presión

Abstract

En este trabajo se estudia las modificaciones sufridas por el antimoneto de indio (InSb), crecido en la dirección [100], cuando es sometido a testes de micro-indentación mecánica, altas presiones hidrostáticas y presión por impacto. Los estudios topográficos y tomográficos de las muestras fueron hechos por medio de espectroscopia micro-Raman con diferentes longitudes de onda de la luz de excitación. El corrimiento de la posición de los fonones y el surgimiento de nuevos picos Raman permite el análisis tanto químico como estructural del sistema en estudio.