Estudio de la susceptibilidad magnética AC en el superconductor YBCO

Abstract

En este trabajo se fabricaron muestras volumétricas de YBa2Cu3O7−d , variando la presión de compactación de 191,03 MPa a 445,74 MPa, la temperatura en el ciclo térmico de sinterizado de 700 °C a 900 °C y el porcentaje de plata del 0% al 20%, con el propósito de mejorar la conexión entre granos y consecuentemente la densidad de corriente crítica intergranular. Las muestras fueron caracterizadas por difracción de rayos X, microscopia electrónica de barrido, efecto Meissner y mediciones de susceptibilidad magnética AC en función de la temperatura. De esta manera, se determino la temperatura crítica, fracción superconductora, las densidades de corriente inter e intragranulares y tamaño de granos. Finalmente, se correlacionaron los resultados obtenidos de las mediciones de susceptibilidad magnética con los parámetros del proceso de fabricación, para hallar un proceso de fabricación ´optimo que mejoró la homogeneidad y la calidad de las muestras, maximizando los valores de temperatura crítica y densidad de corriente crítica intergranular

Abstract. In this study, volumetric samples of YBa2Cu3O7−d were produced by varying the compaction pressure from 191,03 MPa to 445,74 MPa, the temperature in the thermal cycle of sintering from 700 °C to 900 °C and the silver content from 0% to 20% in order to improve the connection between grains and consequently the critical current density. The samples were characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, the Meissner effect and AC magnetic susceptibility measurements as a function of temperature. Thus, the critical temperature, the width of the superconducting transition, the intergranular current density and grain size were determined. Finally, the results of magnetic susceptibility measurements with the manufacturing process parameters are correlated to find an optimum process that improves the homogeneity and quality of the samples by maximizing the values of critical temperature and critical current density.