Estudio de propiedades termoeléctricas en sistemas nanoestructurados: posibles condiciones para optimizar la eficiencia

Abstract

El presente trabajo estudia y extiende, mediante argumentos de universalidad, el comportamiento térmico dentro del régimen Kondo, de las distintas propiedades termoeléctricas tales como: La termopotencia, la conductancia eléctrica y la conductancia térmica, dentro de nanoestructuras semiconductoras comprimidas. Aduciendo, a la fuerte evidencia tanto experimental como teórica de condiciones de universalidad para la conductancia eléctrica zero − bias (sin potencial externo aplicado), en función de la temperatura normalizada T∗ = T/TK, con TK actuando como la temperatura de Kondo. Estudiamos, por medio del modelo de impureza de Anderson SIAM, un sistema idealizado compuesto por un punto cuántico inmerso dentro un canal de conducción balístico (hilos cuánticos). Para este sistema, se establece un mapeo lineal sobre el cual, se pueden expresar los coeficientes de transporte termoeléctrico, en términos de la condición (universal) simétrica partícula-hueco, junto a un cambio fase δ producto de los procesos de dispersión cuánticos. Asimismo, bajo el grupo de renormalización numérica (NRG), se calculan los coeficientes termoeléctricos para este sistema, permitiendo así, ilustrar tanto la física implícita en estos procesos, como la validez del mapeo lineal, dentro de un variado rango de temperaturas. De igual modo, se aplicaron los resultados obtenidos, para los coeficientes termoeléctricos en su forma universal, sobre algunos resultados experimentales recientes, asociados a la conductancia eléctrica y el termo-voltaje Vgate dentro de un rango limitado de temperaturas en el régimen Kondo. Logrando con esto, calcular todas las propiedades termoeléctricas derivadas de los mismos, seguido de la obtención, de algunas expresiones analíticas simples, que pueden ser empleadas para predecir, validar y/o ajustar resultados experimentales. Sin embargo, debido a la ausencia de mediciones experimentales, sobre las otras propiedades termoeléctricas dentro de un rango variado de temperaturas, no fue posible examinar la validez de los resultados para las mismas. Por otro lado, empleando las relaciones universales obtenidas para los coeficientes de transporte termoeléctrico (Onsager), junto al parámetro de Mahan-Sofo. Se logra deducir una expresión tal que permite, obtener condiciones que maximizan la figura térmica de mérito multiplicada por la temperatura ZT en función del cambio de fase δ implícito, dentro del régimen Kondo. Así, al evaluar esta expresión sobre el sistema de un único punto cúantico inmerso entre dos hilos cuánticos, se encuentra que, bajo estas condiciones, es físicamente imposible obtener un cambio de fase, que permita maximizar la eficiencia térmica de este tipo de sistemas. De esta forma, se estudia mediante el método de aproximación atómica, un sistema “mejorado” compuesto por dos puntos cuánticos acoplados no interactuantes entre si, pero con fuerte correlación electrónica en cada punto cuántico. En este sistema, variando la energía del primer punto cuántico (el Vgate en sistemas experimentales), mientras se mantiene el segundo punto cuántico en la condición simétrica (simetría-electrón-hueco), se logra encontrar condiciones que replican el cambio de fase δ necesario para optimizar la figura térmica de mérito ZT y por ende, la eficiencia termoeléctrica del sistema. (Texto tomado de la fuente)

The present work studies and extends, by universality arguments, the thermal behavior on the Kondo regime, for the different thermoelectric properties like: Thermopower, electrical conductance and thermal conductance. Within compressed semiconductor nanostructures. Adducing, to the strong experimental and theoretical evidence of universality conditions, for the electrical conductance zero − bias (no external potential applied), as a function of the normalized temperature T∗ =T/TK, where TK is the Kondo temperature. Studying, by the single impurity model SIAM, on an idealized system composed of a quantum dot enbedded in a ballistic conduction channel (quantum wires). For this system, we establish a linear mapping for the thermoelectric transport coefficients, allowing expressed in terms of the universal symmetric particle-hole condition, together with a phase shift δ product of the quantum scattering process. Likewise, under the numerical renormalization group (NRG), the thermoelectric coefficients for this system are calculated, thus allowing to illustrate both the physics implicit in these process, as well as the validity of the linear mapping, within a wide range of temperatures. On the same way, applying the thermoelectric coefficients in their universal form, on some recent experimental results, associated with the electrical conductance and the thermo-voltage Vgate on a limited temperature range in the Kondo regime. Achieving with this, calculate all the thermoelectric properties derived from them, followed by some simple analytical fit expressions, which can be used to predict, validate and/or adjust experimental results. However, due to the absence of experimental measurements for others thermoelectric properties within widdly range of temperatures, it was not possible examine the validity of the results for them. By other way, using the universal relationships obtained for the thermoelectric transport coefficients (Onsager), together with the Mahan-Sofo parameter. It is possible to deduce an expression such that it allows obtaining conditions that maximize the thermal figure of merit multiplied by the temperature ZT as a function of the implicit phase shift δ. Thus, when we evaluatate this expression on the system of a single quantum dot immersed between two quantum wires, in the Kondo regime. We found that, under these conditions, it is physically impossible to obtain a phase shift that allows maximizing the thermal efficiency for this type of system. Then, using the atomic approximation method, on a “tuned” system composed of two coupled quantum dots whitout interdot correlation, but strongly correlated in each quantum dot. On which, varying the energy level on the first quantum dot (the Vgate in experimental systems), while maintaining the second quantum dot in the symmetric electron-hole condition. It’s possible find, conditions that replicate the phase shift δ necessary to optimize the thermal figure of merit ZT and therefore, the thermodynamic efficiency of these type systems