Síntesis y estudio del efecto del Mn sobre las propiedades estructurales y eléctricas de nanoestructuras de ZnO

Abstract

Este trabajo presenta el estudio del efecto de 𝑀𝑛 sobre las propiedades estructurales, morfológicas, eléctricas y magnéticas de películas delgadas de 𝑍𝑛𝑂 depositadas por el método “DC magnetron co-sputtering”, variando algunos parámetros de síntesis como la concentración de Mn, la temperatura del sustrato, así como la utilización de sustratos de diferente naturaleza (Vidrio borosilicato, ITO, Titanio y Silicio orientado). A partir de la caracterización por difracción de rayos X (XRD, por sus siglas en inglés) y espectroscopía RAMAN se identificó la formación de una estructura cristalina hexagonal en fase wurtzita cuyo plano preferencial de crecimiento fue [002] a lo largo del eje c, la temperatura de depósito y el sustrato orientado favorece la cristalización, mientras que el incremento en la cantidad de Mn afecto la cristalización, fenómeno asociado con estrés de la matriz semiconductora. La caracterización a través de microscopía SEM, FESEM y AFM mostraron la formación granular en la superficie de la película, la inclusión de Mn (potencia del “target” = 25 W) mostró un incremento en el tamaño del grano, a altas concentraciones se evidenció la formación de “clusters”. La caracterización eléctrica se realizó a partir de curvas I-V, donde se observó conmutación resistiva (RS, “resistive switching”) unipolar y bipolar interfacial, explicado a partir del modelo de barrera Schottky; este comportamiento está determinado por los parámetros de síntesis como la temperatura y la concentración de Mn. La magnetometría de muestra vibrante (VSM, por sus siglas en inglés) mostró histéresis asociada con ferromagnetismo para muestras depositadas con temperatura de sustrato 𝑇𝑠 = 150 °𝐶, potencia de 𝑀𝑛 = 25 𝑊; la magnetización fue medida a 150 K, cuando se incrementa la temperatura de magnetización se observa una histéresis similar a la cintura de avispa, este resultado se asoció a la combinación de dos fases magnéticas (paramagnética y ferromagnética) presentes en la muestra. La información obtenida confirma la posibilidad fabricar semiconductores magnéticos diluidos (DMS, por sus siglas en inglés) a partir del 𝑍𝑛𝑂: 𝑀𝑛 con potencial para aplicaciones en dispositivos espintrónicos. (Texto tomado de la fuente)

This work presents the study of the effect of Mn on the structural, morphological, electrical and magnetic properties of ZnO thin films deposited by the DC magnetron co-sputtering method, with variations in some synthesis parameters such as Mn concentration, substrate temperature, as well as the use of substrates of different nature (borosilicate glass, ITO, titanium and oriented silicon). From the characterization by X-ray diffraction (XRD) and RAMAN spectroscopy it was identified the formation of a hexagonal crystalline structure in wurtzite phase whose preferential growth plane was [002] along the c axis, the deposition temperature and the oriented substrate favored crystallization, while the increase in the amount of Mn affected the crystallization, a phenomenon associated with stress of the semiconductor matrix. Characterization through SEM, FESEM and AFM microscopy showed granular formation on the surface of the film thin, the addition of Mn (power target = 25 W) showed an increase in grain size, at high Mn concentrations the formation of "clusters" was evidenced. The electrical characterization was performed from I-V curves, where unipolar and bipolar interfacial resistive switching (RS) was observed, explained from the Schottky barrier model; this behavior is determined by the synthesis parameters such as temperature and Mn concentration. Vibrating sample magnetometry (VSM) showed hysteresis associated with ferromagnetism for samples deposited with substrate temperature Ts=150 C, Mn power 25 W; the magnetization was measured at 150 K, when the magnetization temperature is increased a hysteresis similar to wasp waist was observed; this result was associated to the combination of two magnetic phases (paramagnetic and ferromagnetic) present in the sample. The information obtained confirms the possibility of fabricating dilute magnetic semiconductors (DMS) from ZnO:Mn with potential for applications in spintronic devices.