Estudio de la morfología de nanoestructuras de GaSb por efecto de la disolución de HCl mediante medidas de microscopia SEM

dc.contributorDussan Cuenca, Andersonspa
dc.contributor.authorRodriguez Ballesteros, Ismael Fernandospa
dc.date.accessioned2019-07-02T22:14:30Zspa
dc.date.available2019-07-02T22:14:30Zspa
dc.date.issued2018-06-15spa
dc.description.abstractEn las últimas décadas el estudio de los materiales de bajas dimensiones muestra una amplia gama de aplicaciones en distintos campos. En la actualidad, la investigación de las nuevas propiedades de los materiales semiconductores mediante la creación de capas porosas en dichos semiconductores brinda la posibilidad de nuevas aplicaciones en la electrónica y la opto-electrónica como en otros campos de la tecnología como lo son sensores, celdas de combustible, baterías de larga duración, aplicaciones médicas, etc. En este trabajo se fabricaron películas delgadas porosas de GaSb por el método de anodizado electroquímico utilizando ácido clorhídrico (HCl). Se realizó ataque electroquímico a películas con diferentes parámetros de síntesis (tiempos de depósitos y temperatura de recocido) fabricadas sobre sustratos de vidrio. Se variaron tiempos de ataque electroquímico y voltajes aplicados para correlacionar los resultados. Posterior a ello se realizaron estudios morfológicos utilizando las técnicas de microcopía de barrido electrónico (SEM, por sus siglas en ingles) y microscopía de fuerza atómica (AFM). Por último, se analiza la correlación entre los parámetros de síntesis y la morfología de la superficie del material.spa
dc.description.abstractAbstract: In the last decades, the study of materials of low dimensions shows a wide range of applications in different fields. Currently, the investigation of the new properties of semiconducting materials through the creation of porous layers in these semiconductors offers the possibility of new applications in electronics and opto-electronics, as in other fields of technology such as sensors, fuel cells, long-life batteries, medical applications, etc. In this work, porous thin films of GaSb were made by electrochemical anodizing method using clorhydric acid (HCl). Electrochemical attack was performed on films with different synthesis parameters (deposit times and annealing temperature) made on glass substrates. Electrochemical attack times and applied voltages were varied to correlate the results. Subsequent to this, morphological studies were carried out using scanning electronic microcopy (SEM) techniques and atomic force microscopy (AFM). Finally, the correlation between the synthesis parameters and the morphology of the material surface were analyzed.spa
dc.description.degreelevelMaestríaspa
dc.format.mimetypeapplication/pdfspa
dc.identifier.eprintshttp://bdigital.unal.edu.co/64478/spa
dc.identifier.urihttps://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/63872
dc.language.isospaspa
dc.relation.ispartofUniversidad Nacional de Colombia Sede Bogotá Facultad de Ciencias Departamento de Físicaspa
dc.relation.ispartofDepartamento de Físicaspa
dc.relation.referencesRodriguez Ballesteros, Ismael Fernando (2018) Estudio de la morfología de nanoestructuras de GaSb por efecto de la disolución de HCl mediante medidas de microscopia SEM. Maestría thesis, Universidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá.spa
dc.rightsDerechos reservados - Universidad Nacional de Colombiaspa
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessspa
dc.rights.licenseAtribución-NoComercial 4.0 Internacionalspa
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/spa
dc.subject.ddc53 Física / Physicsspa
dc.subject.proposalSemiconductoresspa
dc.subject.proposalOpto-electrónicaspa
dc.subject.proposalAntimoniuro de galio (GaSb)spa
dc.subject.proposalAtaque electroquímicospa
dc.subject.proposalMicrocopia de fuerza atómicaspa
dc.subject.proposalSemiconductorsspa
dc.subject.proposalOptoelectronicsspa
dc.subject.proposalGallium antimonide (GaSb)spa
dc.subject.proposalElectrochemical attackspa
dc.subject.proposalAtomic force microscopyspa
dc.titleEstudio de la morfología de nanoestructuras de GaSb por efecto de la disolución de HCl mediante medidas de microscopia SEMspa
dc.typeTrabajo de grado - Maestríaspa
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/c_bdccspa
dc.type.coarversionhttp://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aaspa
dc.type.contentTextspa
dc.type.driverinfo:eu-repo/semantics/masterThesisspa
dc.type.redcolhttp://purl.org/redcol/resource_type/TMspa
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/acceptedVersionspa
oaire.accessrightshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2spa

Archivos

Bloque original

Mostrando 1 - 1 de 1
Cargando...
Miniatura
Nombre:
Trabajo Final VERSIONok2.pdf
Tamaño:
3.02 MB
Formato:
Adobe Portable Document Format