Dopado de Semiconductores Orgánicos con Compuesto Organometales de Transición

Abstract

En el presente trabajo se desarrolló un sistema anfitrión-huésped empleando semiconductores orgánicos y organometales de transición (complejos de iridio) respectivamente. Inicialmente se determinó dentro de los semiconductores orgánicos de pequeña molécula comercialmente disponibles, los que dados sus orbitales moleculares pudiesen ser usados como anfitriones, y entre los organometales de transición los que tuviesen luminiscencia en verde. Una vez escogidos los materiales, a partir de simulaciones se optimizaron los parámetros de deposición considerando sus propiedades morfológicas, ópticas y eléctricas. Se realizaron películas de 4-4’Bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP) dopado con Bis(2-phenylpyridine)(acetylacenate)-iridium(III) de 20 y 175 nm homogéneas, de las cuales se obtuvo fosforescencia. Finalmente se empleó el sistema anfitrión-huésped propuesto como capa electroluminiscente al interior de un dispositivo orgánico emisor de luz, obteniendo electroluminiscencia en el verde a 531 nm.

Abstract. In the present work an host-guest system was developed using organic semiconductors and transition organometals (iridium complexes) respectively. Initially it was determined within the commercially available small molecule organic semiconductors, which one could be used as hosts knowing their molecular orbitals, and among transition organometals which that had green luminescence. Once the materials were chosen, the deposition parameters were optimized based on their morphological, optical and electrical properties. Homogenous thin films of 4-4’Bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP) doped with Bis(2-phenylpyridine)(acetylacenate)-iridium(III) of 20 and 175 nm were performed, from which phosphorescence was obtained. Finally, the proposed host-guest system was used as an electroluminescent layer inside an organic light-emitting device, obtaining green electroluminescence at 531 nm.